08/03/2016

Prop de 200 experts participen a la conferència internacional sobre semiconductors porosos

Experts d’arreu del món es reuneixen des d’aquest diumenge i fins divendres per participar a la conferència científica bianual sobre semiconductors porosos i el seu ús. Es tracta d’un esdeveniment científic internacional únic en el seu àmbit dedicat als semiconductors porosos i a la promoció del seu ús en l’electrònica, sensors, energia, medicina, medi ambient, química i aplicacions fotoquímiques, així com en les ciències de la vida

El semiconductors porosos són materials en els quals s’hi troben porus de mides nanomètriques, les propietats elèctriques, fotòniques, químiques, tèrmiques, òptiques, etc,  dels quals, es poden modificar. Les seves aplicacions més importants es troben en l’àmbit de l’energia -per exemple desenvolupar bateries d’alta capacitat i més durada- o en biomedicina, per aplicacions de diagnosi i tractament o bé com a biomaterial per l’alliberament de fàrmacs de manera controlada i localitzada.

En aquesta trobada d'experts s'hi han fer sessions de conferències de pòsters per parlar dels darrers avenços en aquest camp.
En aquesta trobada d’experts s’hi han fet sessions de conferències, presentacions i sessions de pòsters per parlar dels darrers avenços en aquest camp.

La 10a Conferència PSST (Porous Semiconductors – Science and Technology (PSST) 2016, té lloc a l’Hotel Gran Palace de La Pineda, i reuneix experts  d’arreu del món en la física i la química dels semiconductors, l’òptica, l’electroquímica, la instrumentació analítica, la bioquímica, la medicina, l’energia i camps relacionats. Durant aquests dies es faran conferències, presentacions, sessions de pòsters i sessions plenàries temàtiques.

Aquesta és la desena edició de la conferència internacional i la primera vegada que la Universitat Rovira i Virgili, a través del professor Lluís Marsal del grup de recerca Nanelectronic and Photonic Systems (Nephos) del Departament d’Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica,  acull l’organització local de l’esdeveniment.

Print Friendly, PDF & Email
Subscriu-te als butlletins de la URV

Comenta

*